中欣晶圆申请硅片区分法相关专利，特定工艺放大差异，结合检测精准区分硅片类型

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4月18日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“区分PV型与PI型硅片的方法”的专利。申请公布号为CN121888927A，申请号为CN202511816355.2，申请公布日期为2026年4月17日，申请日期为2025年12月4日，发明人王烨华、康海洋，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号H10P74/20、H10P74/00。

专利摘要显示，本发明涉及一种区分PV型与PI型硅片的方法，所属半导体材料检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片样本选取，硅片样本来源于硅单晶锭的COP即未空位型至LDL即自间隙原子型的过渡区域，且初步判定为完美单晶为PV类型或PI类型。第二步：对硅片样本进行两步干氧热处理。第三步：LST 检测BMD密度，采用光散射激光法即LST对热处理后的硅片样本进行体缺陷BMD密度检测，沿硅片样本的半径方向，每隔2mm 选取一个检测点，记录每个检测点的BMD密度值。第四步：BMD密度分布规律分析判定该硅片为PV类型或PI类型。通过特定的两步干氧热处理工艺，放大PV和PI类型硅片内部的缺陷差异，再结合LST检测BMD密度的分布规律，实现两者的精准区分。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息445条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

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