东芝推出80伏N沟道功率MOSFET 提升人工智能数据中心能效

东芝推出采用新一代U-MOS11-H工艺的80伏N沟道功率MOSFET产品TPM1R408RH，面向人工智能数据中心与通信基站应用场景。

关键参数：导通态漏源电阻为1.4毫欧，与东芝上一代产品相比，品质因数R DS(ON) × Q g降低45%。该产品可抑制尖峰电压，采用SOP Advance(E)封装提升散热性能，适配更紧凑高效的电源设计。

该产品落地东芝拓展低损耗功率器件产品线的战略，可满足高性能计算与电信领域对节能基础设施的增长需求，目前已开启供货，相关设计支持工具可通过东芝官网获取。

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