中欣晶圆申请硅片清洁系统相关专利,防止灰尘飞散,提高硅片除灰及生产质量


4月18日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺”的专利。申请公布号为CN121869782A,申请号为CN202511886282.4,申请公布日期为2026年4月17日,申请日期为2025年12月15日,发明人苏鹏辉,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权,分类号B08B5/04、H10P72/30、B08B13/00、H05F3/04。

专利摘要显示,本发明涉及硅片加工技术领域,具体公开了包括机架,机架的左部配置有输送组件,机架的右部配置有硅片装载盒,机架的顶部滑动连接有移动板,移动板的底部配置有推送组件,静电消除与表面清洁系统还包括吸尘组件,配置于机架的内部,吸尘组件包括固定连接在机架右部的吸尘框,机架的顶部连接有固定板,通过上述结构的配合,可以有效地防止灰尘飞散而导致灰尘飘散在空气中,从而避免吹出的灰尘出现再次下落在硅片上的风险,进而提高去除灰尘的效果,同时,将吸尘框的内部分隔成多个单独的空间,使得减少在吸收灰尘时容易出现硅片的各处吸气不均匀的情况,进一步提高吸收灰尘的效果,从而提高生产出硅片的质量。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本523559.0107万人民币,实缴资本503225.6776万人民币,注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息445条,拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
2改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
3针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
4一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
5检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
6一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
7一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
8降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
9基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
10一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎
11一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
12颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌
13针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
14一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳
15一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
16一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊
17基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
18采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏
19基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉
20针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
21一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
22硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
23区分PV型与PI型硅片的方法发明专利公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋
24预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
25铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋
26降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓
27用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇
28APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午
29基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛
30外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧
31基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午
32硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛
33一种半导体双面研磨机纳米级复合研磨粉及研磨液发明专利公布CN202511658494.72025-11-13CN121780129A2026-04-03何航党、高洪涛
34基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮
35基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天
36一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫
37改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
38硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
39一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
40一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
41一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰
42一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威
43流量校准的工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立
44检测设备相机的散热系统及其运行方法发明专利公布CN202511577875.22025-10-31CN121559800A2026-02-24李君
45基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
46一种提升硅片背面去蜡能力的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511563995.72025-10-30CN121487521A2026-02-06朱墨涵、王骞玮
47基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
48一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞
49用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511529816.82025-10-24CN121575367A2026-02-27黄明洋、李鹏
50一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉

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